下午察:存储巨头长鑫科技迎来风光上市

乘着全球人工智能(AI)狂热引发存储晶片短缺的东风,中国存储晶片巨头长鑫科技即将迎来今年亚洲最大规模的首次公开募股(IPO)。

总部位于安徽合肥的长鑫科技星期二(7月14日)晚上宣布,确定本次初始发行66.88亿股,发行价为每股8.66元,投资者申购在星期四(16日)开始。

按发行价计算,长鑫科技最高可筹得666.07亿元,是此前预估的两倍。

《证券时报》指出,这一募资规模将超过2020年中芯国际创下的532亿元纪录,成为科创板历史上最大IPO。预计长鑫科技上市后,市值可能超过2万亿元。

北京一名基金经理告诉彭博社,此次发行的认购需求远超目标,显示投资者对存储行业上行周期的乐观,同时凸显外界对长鑫作为国家支持企业、致力打破技术瓶颈这一战略定位的认可。

招股书披露,长鑫的战略投资者阵营不仅汇集社保基金等长线资本,还包括身处产业链上游的中微公司,以及阿里、腾讯、小米等下游应用巨头。

此番参与长鑫科技IPO的六家投资银行,包括中信建投、中金公司及招商证券等,预计合计收获至少4100万美元的承销费用。

中国国内资本狂欢之际,受限A股监管的海外投资者也想分一杯羹。彭博社报道,在交易平台Hyperliquid上,一款挂钩长鑫的上市前永续合约仅数小时,价格就飙升575%。

异军突起的存储新玩家

资本之所以对长鑫科技的IPO追捧,源于商业和战略层面的两大驱动力。

在商业层面,全球巨头转战高带宽存储(HBM)赛道,给传统的动态随机存取存储器(DRAM)留下了巨大的市场真空;在战略层面,外界期待长鑫能借此次募资一举攻克HBM壁垒,助力北京实现科技自主。

作为电子设备不可或缺的核心,DRAM长期被三星、SK海力士和美光垄断。三家巨头均采用设计制造一体化模式,将晶片设计、晶圆制造、封装测试全流程握在自己手中,令中国在面临美国技术封锁时极其被动。

存储晶片类似于向计算设备引擎输送燃料的管道,负责在计算机处理引擎之间高速传输数据。图为韩国三星7月8日在Nano Korea博览会上展出的一款大容量DRAM内存模组。(彭博社)

在此背景下,2016年,朱一明与合肥市政府携手,联合产业资本创立长鑫科技,旨在打破这一技术围墙。

长鑫科技成立之初,依赖地方政府数十亿美元的补贴生存。《晶片战争》一书作者米勒向《纽约时报》直言,官方补贴是长鑫得以杀入这个极度烧钱赛道的唯一原因。

但凭借跳代研发策略,长鑫已成为全球第四大DRAM制造商。今年上半年,公司归母净利润预计高达500亿元至570亿元,同比暴增逾22倍。

这份亮眼的成绩单,打破了外界对中国半导体企业“靠补贴续命”的刻板标签。高速增长的背后推手,是全球AI算力的军备竞赛。

在AI服务器需求的强势拉动下,全球存储巨头纷纷将产能重心从传统DRAM向HBM倾斜。毕竟,相较于普通的存储晶片,HBM拥有令人垂涎的高单价、高利润率,以及更深度的客户绑定和长期订单确定性。

此外,HBM在物理结构上需要将多层DRAM晶片进行垂直堆叠。这需要消耗海量的先进晶圆,从而挤占生产DRAM所需的封装、测试等工程资源,导致过去两年全球DRAM市场陷入严重的供需失衡。

高带宽内存(HBM)是一种用于人工智能、高性能计算及高端显卡的高性能DRAM内存技术,在物理结构上需要将多层DRAM晶片进行垂直堆叠。图为韩国SK海力士6月30日在光州的一个博览会上展出HBM存储晶片。(路透社)

高盛今年2月在一份报告中指出,全球DRAM市场的供不应求幅度达到4.9%的新高。这恰好为长鑫科技腾出巨大的利润空间,得以迅速填补市场真空。

市场调研公司Counterpoint Research数据显示,长鑫今年第一季的全球市场份额已从去年的3%暴增至8%。

美国消费者新闻与商业频道(CNBC)报道,美国科技巨头苹果也正测试长鑫的DRAM晶片,并游说特朗普政府寻求获准从长鑫采购晶片。

彭博社引述知情者透露,长鑫计划将今年的产量提高一倍,并打造覆盖晶片设计、制造到最终封装的完整产业链。Counterpoint预计,长鑫有望在2030年前实现整体DRAM产能翻番。

但问题是,长鑫当下大举押注的产能扩张,很可能陷入DRAM产业向来逃不开的“繁荣与萧条”周期律。

2020年冠病疫情期间,受居家办公和娱乐需求井喷、叠加供应链错配影响,DRAM当时曾上演和如今一样的全球断货、价格飙涨的局面。但随着厂商大举扩充产能,市场又迅速陷入供过于求的泥沼。

调研机构集邦咨询数据显示,2022年下半年DRAM价格曾暴跌逾30%,迫使制造商转移生产线止损。

但也有分析持乐观态度:在当前全球AI数据中心需求持续狂飙的背景下,DRAM的结构性短缺在未来数年内都难以彻底缓解。

不过,为了彻底摆脱传统DRAM“繁荣与萧条”的周期魔咒,业界预测长鑫正规划进军HBM赛道,而这场IPO,正是为了加入HBM领域筹集“弹药”。

有观点指出,相较于高度标准化的传统DRAM,HBM属于定制化产品,加上极高的技术门槛,较难陷入产能过剩的泥沼。

不过,在美国严苛的出口管制下,长鑫无法获取先进光刻机,技术节点仍落后国际巨头约两代。这道硬伤不仅大幅推高生产成本,还会让公司在攻克HBM良率时举步维艰。

长鑫科技已具备量产新一代第五代双倍数据率(DDR5)晶片的能力。但由于长鑫采用的是较旧、尺寸较大的工艺节点,盈利能力相较于同行较低。(路透社档案照片)

中国科技自主的标志

除了DRAM产业的周期魔咒,长鑫科技还得面对日益激烈的地缘政治博弈。

在半导体如今已成为中美争夺科技主导权关键战场的背景下,由“国家队”与地方国资主要持股(国有股东持股比例36.29%)的长鑫,已成为北京在HBM等存储领域减少对外国依赖的最大希望。

对中国而言,长鑫已日益成为国内存储供应链的中流砥柱。扩大DRAM产能不仅可重塑全球的定价机制与供需平衡,还将改变三星电子和SK海力士等现有品牌所掌握的地缘政治筹码。

深厚的国资背景以及北京所赋予的战略意义,让地缘政治挑战不可避免地成为企业经营的必然组成部分。

美国国防部上个月已将长鑫科技列入“中国军方企业”清单;美国国际贸易委员会也已投票决定对长鑫特定DRAM设备启动知识产权侵权调查。

这些风险都显著抬高长鑫科技的经营难度,更成为它后续产能扩张与盈利持续性的隐忧。招股书也委婉地坦言,如果“相关国家”进一步收紧限制措施,公司可能“面临产业链不稳定的风险”。

重重围堵下,长鑫科技能否突围并引领中国实现科技自主,仍有待时间检验。但无论如何,这家企业的上市,已标志它打破了存储市场寡头垄断的格局,并逐步成为有权、也有能力改写存储晶片产业格局的新玩家。

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